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东芝要做64层3D闪存:三星48层情何以堪?

更新时间  2021-08-17 22:03 阅读
本文摘要:三星3DV-NAND立体填充存储器行业著称,而且早已堆到了难以置信的48层,工艺精美,不过据《MBS亚洲评论》报导,东芝正在谋划多达64层的NAND存储器,比三星多三分之一! 7月15日,东芝举行了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的落成仪式,并透漏将在此生产48层填充存储器,并计划2016财年(累计到2017年3月底)内量产。

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三星3DV-NAND立体填充存储器行业著称,而且早已堆到了难以置信的48层,工艺精美,不过据《MBS亚洲评论》报导,东芝正在谋划多达64层的NAND存储器,比三星多三分之一!  7月15日,东芝举行了日本三重县四日市(Yokkaichi)半导体二厂的落成仪式,并透漏将在此生产48层填充存储器,并计划2016财年(累计到2017年3月底)内量产。  这种存储器的成本和价格不会较为低,但是因为容量可以做到的更大,平均价格反而不会更加低廉,可用作从智能手机、固态硬盘到数据中心等各种领域,初期主要供应持续增长的数据中心。  只不过,东芝在今年春天就早已开始生产48层存储器了,并预计2017财年3D存储器将占到其总生产能力的50%,2018财年突破80%。

  三星则可能会在2017年下半年落成坐落于韩国京畿道平泽市的新工厂,生产自己的64层存储器,但官方仍未具体表态。

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